8月8日，在成都高新西區(qū)高投芯未高端功率半導體器件及模組研發(fā)生產(chǎn)項目（以下簡稱“芯未項目”）的施工現(xiàn)場，成都高投芯未半導體有限公司負責人一次性領取了《建設用地規(guī)劃許可證》《建設工程規(guī)劃許可證》《建筑工程施工許可證》以及《不動產(chǎn)權證書》“四證”，項目隨即啟動快速建設工作，預計明年8月即可建成投產(chǎn)。

　　記者了解到，工業(yè)項目從拿地到動工建設一般需花費約150個自然日，“芯未項目”則用時不到5個工作日，全面刷新了拿地建設時間紀錄。

　　深化“標準地”改革，推行“拿地即開工”營商環(huán)境優(yōu)化，這是成都高新區(qū)當前正全力推進的一項重要工作，“芯未項目”作為有效支撐產(chǎn)業(yè)建圈強鏈的一個縮影，將為后續(xù)項目快速落地提供寶貴經(jīng)驗。

　　資料顯示，成都高投芯未半導體有限公司，是成都高新投資集團有限公司與成都森未科技有限公司合資設立的法人企業(yè)，主要從事IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）等功率半導體芯片及產(chǎn)品的設計、開發(fā)、銷售，是我國IGBT芯片領域的重要創(chuàng)新力量。

　　“在國家出臺系列政策支持半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的大背景下，以IGBT為代表的功率半導體行業(yè)市場迎來了廣闊的發(fā)展前景?！背啥几咄缎疚窗雽w有限公司相關負責人介紹，項目總投資約10億元，建成投產(chǎn)后將為包括森未科技在內(nèi)的功率半導體設計企業(yè)提供IGBT特色授權委托加工服務，包括IGBT芯片、模組及方案組件產(chǎn)品等，預計有望實現(xiàn)年營收9億元、年稅收7000萬元。

　　同時，成都高新西區(qū)發(fā)展建設指揮部堅持以建設全面體現(xiàn)新發(fā)展理念的公園城市示范區(qū)為引領，劃定25平方公里重點片區(qū)打造公園城市智造發(fā)展示范區(qū)，瞄準打造‘集成電路+新型顯示’世界級電子信息產(chǎn)業(yè)集群，建設智造發(fā)展示范區(qū)，力爭電子信息產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值突破1萬億元，推動成都高新西區(qū)從傳統(tǒng)工業(yè)園區(qū)向公園城市智造發(fā)展示范區(qū)轉(zhuǎn)變。